SK Hynix در سال 2014 به عنوان یکی از سازندگان و توسعه دهندگان اصلی، حافظه‌های HMB را معرفی کرد. این شرکت که قصد دارد با پیشرفت در این نوع از DRAM برتری خود را در بازار حفظ نماید، از نسل بعدی حافظه‌های HBM3E رونمایی کرده که قرار است تا سال 2024 و با سرعت تا 8 گیگابیت بر ثانیه عرضه شوند.

SK Hynix تا سال 2024 از نسل جدید حافظه HMB با نام HBM3E رونمایی خواهد کرد. این تراشه که قرار است با فناوری نود 1bnm تولید شود، سرعت را تا 8 گیگابیت بر ثانیه نیز ارتقا خواهد بخشید. در حال حاضر سرعت حافظه‌های HBM3 تولید شده توسط اس‌کی هاینیکس و دیگر سازندگان به حداکثر 6.4 گیگابیت بر ثانیه می‌رسد.

در همین رابطه بخوانید:

- نسل هشتم حافظه های 3D NAND شرکت SK Hynix در راه است؛ تراشه های 300 لایه‌ای!
- SK Hynix اولین تراشه حافظه 12 لایه HBM3 جهان با ظرفیت 24 گیگابایت را معرفی کرد

نسل بعد تراشه حافظه HBM3E را بشناسید

SK Hynix با نسل جدید تراشه‌های حافظه HBM3E خود به سرعت انتقال داده 8 گیگابیت بر ثانیه دست پیدا خواهد کرد که تا 25 درصد از محصولات کنونی بیشتر است. این فناوری با یک ردیف HBM مجهز به باس حافظه با عرض 1024 بیت، پهنای باند را از 819.2 به 1 ترابایت بر ثانیه می‌رساند.

این یعنی پردازنده‌های مدرن عملکرد بالا (HPC) که از چندین ردیف استفاده می‌کنند، به پهنای باند چندین ترابایت بر ثانیه دست پیدا خواهند کرد. به گزارش وبسایت AnandTech، اس‌کی هاینیکس قصد دارد در ماه‌های آینده تست این HBM3E را آغاز نماید.

حافظه های DDR5

با توجه به افزایش درخواست برای تراشه‌ها و پردازنده‌های گرافیکی عملکرد بالا مخصوص سرور و همچنین ابرکامپیوترهای هوش مصنوعی، SK Hynix مشکلی برای فروش حافظه‌های HBM3E خود نخواهد داشت. قطعاً شرکت‌هایی مانند انویدیا، از حافظه‌های سریع‌تر برای ساخت پردازنده‌های قدرتمندتر استقبال خواهند کرد.

SK Hynix برای ساخت تراشه‌های حافظه HBM3E از فناوری 1b نانومتر (نسل پنجم نود کلاس 10 نانومتری) استفاده خواهد کرد. از این فناوری اکنون در رم‌های DDR5-6000 مربوط به پلتفرم Xeon Scalable اینتل استفاده می‌شود.