SMIC تا پایان ۲۰۲۵ به فناوری ساخت تراشه ۵ نانومتری دست پیدا می‌کند؛ هزینه بالای تولید مهم‌ترین مانع پیش‌رو


SMIC تا پایان 2025 به فناوری ساخت تراشه 5 نانومتری دست پیدا می‌کند؛ هزینه بالای تولید مهم‌ترین مانع پیش‌رو

پس از اینکه فناوری ۷ نانومتری شرکت چینی SMIC با موفقیت در تولید تراشه Kirin ۹۰۰۰S به کار گرفته شد اکنون اطلاعاتی در دسترس قرار گرفته که نشان می‌دهد این شرکت قصد دارد تا پایان سال ۲۰۲۵ به فناوری تولید تراشه ۵ نانومتری دست پیدا کند. البته این گزارش...

پس از اینکه فناوری ۷ نانومتری شرکت چینی SMIC با موفقیت در تولید تراشه Kirin ۹۰۰۰S به کار گرفته شد اکنون اطلاعاتی در دسترس قرار گرفته که نشان می‌دهد این شرکت قصد دارد تا پایان سال ۲۰۲۵ به فناوری تولید تراشه ۵ نانومتری دست پیدا کند. البته این گزارش نشان می‌دهد که در این مسیر و برای تولید انبوه تراشه‌ها با استفاده از این فناوری مسیری سخت و پر چالش پیش روی این شرکت است.

در سال گذشته هواوی موفق شد وابستگی خود به تراشه‌های خارجی را با استفاده از فرایند ساخت ۷ نانومتری شرکت SMIC در تولید تراشه Kirin ۹۰۰۰S کاهش دهد؛ تراشه‌ای که برای نخستین بار در گوشی‌های پرچم‌دار سری میت ۶۰ مورد استفاده قرار گرفت. اکنون اطلاعاتی منتشر شده که نشان می‌دهد SMIC هم اکنون مشغول کار بر روی فناوری تولید تراشه ۵ نانومتری خود است و قصد دارد آن را برای تولید انبوه تراشه‌ها در سال ۲۰۲۶ آماده کند. دست‌یابی به این فناوری پیشرفته در تولید تراشه می‌تواند گامی مهم و قابل توجه برای شرکت‌های چینی در کاهش وابستگی‌ها باشد.

براساس گزارش Wccftech و داده‌هایی که توسط شرکت Kiwoom Securities منتشر شده، SMIC قرار است توسعه فناوری ۵ نانومتری خود را تا سال ۲۰۲۵ میلادی به پایان برساند. البته با توجه به اینکه گفته می‌شود تراشه Kirin ۹۰۲۰ در سری گوشی‌های میت ۷۰ هواوی با استفاده از فناوری ۷ نانومتری به تولید انبوه می‌رسد، می‌توان حدس زد که کارخانه چینی SMIC با چالش‌های متعددی در زمینه توسعه فناوری ۵ نانومتری رو به ‌رو شده است. این گزارش اشاره می‌کند که اگرچه دستیابی به این هدف جاه‌طلبانه برای SMIC کاملاً امکان‌ پذیر است، اما این مسیر خالی از دردسر و مشکل نخواهد بود.

گفته می‌شود هزینه تولید ویفرهای ۵ نانومتری توسط SMIC احتمالاً تا ۵۰ درصد بیشتر از TSMC در فناوری مشابه خواهد بود، و میزان بازده تولید نیز تنها به ۳۳ درصد خواهد رسید که رقم ناچیزی است. علت افزایش این هزینه استفاده از تجهیزات قدیمی‌تر نسل DUV به جای تجهیزات EUV است که برای دستیابی به این لیتوگرافی نیازمند طی کردن مراحل بیشتری است. امروزه استفاده از تجهیزات پیشرفته‌ EUV برای تولید انبوه ویفرها با لیتوگرافی‌های پیچیده‌تر ضروری است.

انجام این مراحل اضافی نه تنها باعث افزایش زمان تولید ویفرهای ۵ نانومتری می‌شود، بلکه میزان بازده تولید را کاهش داده و در نتیجه تعداد محصولات معیوب و ناموفق را نیز بیشتر خواهد کرد. تنها راه رهایی از این مشکل این است که دولت چین بتواند تجهیزات EUV بومی خود را با موفقیت تولید کند؛ تجهیزاتی که گفته می‌شود در سه ‌ماهه سوم سال ۲۰۲۵ به مرحله تولید آزمایشی خواهند رسید. گزارش‌ها نشان می‌دهند شرکت چینی دیگری با نام SiCarrier که با هواوی نیز در ارتباط است در حال توسعه جایگزین‌هایی برای تجهیزات شرکت هلندی ASML است که در صورت موفقیت، چین را قادر خواهد ساخت تولید انبوه تراشه‌های پیشرفته را آغاز کند.

هنوز مشخص نیست که SMIC چه زمانی قادر خواهد بود ویفرهای ۵ نانومتری را در تعداد انبوه تولید کند؛ اما گزارش‌های جدید نشان می‌دهند که این فناوری قرار است در تولید تراشه‌های هوش مصنوعی Ascend ۹۱۰C هواوی مورد استفاده قرار گیرد؛ تراشه‌ای که هواوی آن را برای کاهش وابستگی چین به محصولات انویدیا طراحی کرده است. با در اختیار داشتن تجهیزات EUV داخلی، شرکت SMIC فرصت پیشبرد فناوری‌های پیچیده‌تر را نیز به‌دست خواهد آورد. در هر صورت به نظر می‌رسد ظرف هفته‌های آینده اطلاعات بیشتری از این فناوری ۵ نانومتری SMIC در دسترس قرار بگیرد.





بهترین بازیگر زن هالیوود ؛ رده‌بندی بهترین هنرپیشگان و بازیگران زن تاریخ سینمای جهان