به گزارش خبرگزاری مهر به نقل از شینهوا، تیم تحقیقاتی چینی یک حافظه فلش ابداع کرده اند که قادر به ذخیره سازی هر بیت با سرعت ۴۰۰ پیکوثانیه است که رکورد جدیدی برای سریع ترین دستگاه نیمه رسانای حافظه به حساب می آید. پیکوثانیه یک هزارم نانوثانیه یا یک تریلیونم ثانیه است. به عبارت دیگر این حافظه می تواند حدود ۲۵ میلیارد عملیات در ثانیه انجام دهد.

این حافظه غیرفرار PoX که نام دارد حتی از سریع‌ترین فناوری‌های حافظه فرار که برای ذخیره یک بیت داده به حدود ۱ تا ۱۰ نانوثانیه نیاز دارند، بهتر عمل می‌کند.

حافظه های فرار مانند SRAM و DRAM که با قطع برق داده هایشان از دست می رود، برای سیستم های کم مصرف مناسب نیستند. در این میان حافظه های غیرفرار مانند فلش که در مصرف انرژی صرفه جویی می کنند نیز نمی توانند نیازهای دسترسی سریع به داده در حوزه هوش مصنوعی را بر آورده کنند.

محققان دانشگاه فودان یک با استفاده از مکانیسمی نوین یک حافظه دو بعدی Direc با کانال گرافن( two-dimensional Dirac graphene-channel flash memory) ابداع کردند که مرزهای سرعت ذخیره سازی اطلاعات غیر فرار و دسترسی به آن را شکست.

ژوپنگ محقق ارشد این پژوهش می گوید: ما با استفاده از الگوریتم های هوش مصنوعی برای بهینه سازی این نوآوری را به میزان قابل توجهی ارتقا دادیم و زمینه را برای کاربردهای آتی فراهم کردیم.

این تحقیق در ژورنال نیچر منتشر شده است.