شرکت SK hynix از نقشهراه خود برای توسعه حافظههای DRAM و NAND تا سال 2031 پرده برداشته است. به نظر میآید این شرکت سرگرم ساخت تراشههای حافظه 4D NAND با بیش از 400 لایه در کنار نسل بعدی حافظههای GDDR7 در کنار HBM5 و DDR6 است که در ادامه این نوشتار از شهر سخت افزار بدان پرداختهایم.
ظاهراً SK hynix قصد دارد از سال آینده میلادی نسخه جدیدی از حافظههای HBM4 را عرضه کند. علاوه بر این کنترلر HBM نیز به داخل حافظه منتقل شده تا با افزایش سرعت و کاهش مصرف انرژی همراه باشد که این شرکت از آن با نام Custom HBM یاد کرده است.
علاوه بر این حافظههایی مانند LPDDR6 و حافظههای هوش مصنوعی AI-D DRAM شامل LPDDR5X SOCAMM2 و MRDIMM Gen2 و LPDDR5R و CXL LPDDR6-PIM نسل دوم نیز عرضه خواهند شد.
برای نمایش جزئیات روی عکس کلیک کنید SK hynix حافظههای NAND را فراموش نکرده و مدلهای PCIe Gen5 eSSD با ظرفیت بیش از 245 ترابایت (QLC) و PCIe Gen6 eSSD/cSSD و UFS 5.0 را توسعه خواهد داد. حافظههای مخصوص هوش مصنوعی با عنوان AI-N NAND نیز در این مدت معرفی خواهند شد.
از سال 2029 نیز SK hynix تمرکز خود را روی HBM5 و HBM5E و نسخههای سفارشی آن قرار داده است. همچنین نسل بعدی حافظه GDDR7 و DDR6 همراه با حافظههای 3D DRAM معرفی میشوند.
بر اساس گزارش wccftech ظاهراً عرضه نسل بعد از GDDR7 برای کارتهای گرافیک معمولی چند سالی طول خواهد کشید. سرعت نسل اول فعلی 30 تا 32 گیگابیت بر ثانیه است و استاندارد نهایی آن 48 گیگابیت بر ثانیه میباشد.
رمهای DDR6 نیز طبق برنامه تا سال 2031 وارد بازار میشود و هنوز چند سالی تا جایگزینی DDR5 در دسکتاپ و لپتاپ فاصله داریم. علاوه بر این SK hynix قصد دارد حافظههای 4D NAND با بیش از 400 لایه را عرضه کند که نیازهای پردازش هوش مصنوعی را پوشش میدهد.
در همین رابطه بخوانید:
- معرفی اولین SSD ابرسریع دنیا با کنترلر E28 فایسون توسط TeamGroup؛ سرعت باورنکردنی 14.9 گیگابایت بر ثانیه
- رونمایی توشیبا از متراکم ترین هارد دیسک 3.5 اینچی دنیا با ظرفیت 40 ترابایت
SK hynix اعلام کرده تمرکز آینده روی حافظههای هوشمند و بهینهسازیشده برای AI خواهد بود. در واقع SK hynix با این نقشهراه، افق روشنی از آینده حافظههای نسل بعد را ترسیم کرده هرچند برای عرضه این فناوریهای باید 3 تا 4 سال صبر کرد.